感測器開發所需之表面改質對拓樸絕緣體之表面能帶結構的影響;Influences on the Surface Band Structure of a Topological Insulator by the Surface Modifications Necessary for the Sensor Development

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題名:	感測器開發所需之表面改質對拓樸絕緣體之表面能帶結構的影響;Influences on the Surface Band Structure of a Topological Insulator by the Surface Modifications Necessary for the Sensor Development
作者:	陳儀帆
貢獻者:	國立中央大學化學工程與材料工程學系
關鍵詞:	拓樸絕緣體;量子材料;能帶結構;表面改質;化學/生物感測器;角解析光電子能譜;Topological insulator;quantum material;band structure;surface modification;chemical/biological sensor;ARPES
日期:	2024-09-27
上傳時間:	2024-09-30 14:23:50 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	本研究將探討表面工程對拓樸絕緣體之特殊表面態的影響，為目前尚未被探討的研究問題。藉由探討此問題，本研究除將促進固態物理之發展外，亦將促進我們對此量子材料於應用層面上的認識，有助於國家在未來量子材料/量子運算的國際競爭上取得優勢。此外，本研究所設計、開發之β-類澱粉蛋白拓樸絕緣體感測器的工作電極，將可於未來用於此感測器的開發、及應用此感測器於篩檢初期阿茲海默症病患上。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[化學工程與材料工程學系 ] 研究計畫

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