低維度材料之關鍵技術整合於建構前瞻半導體元件之研究-低維度材料之關鍵技術整合於建構前瞻半導體元件之研究( II );The Research on Low-Dimensional Materials on Advanced and High Performance Electronics Integration( II )

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題名:	低維度材料之關鍵技術整合於建構前瞻半導體元件之研究-低維度材料之關鍵技術整合於建構前瞻半導體元件之研究( II );The Research on Low-Dimensional Materials on Advanced and High Performance Electronics Integration( II )
作者:	蘇清源;藍彥文
貢獻者:	國立中央大學光電科學研究中心
關鍵詞:	二維材料;異質整合三維IC;電晶體;低功耗記憶體;鐵電電晶體;2D materials;heterogeneous 3D ICs;Field-effect transistors;lower power memory;Ferroelectric field effect transistors
日期:	2024-09-27
上傳時間:	2024-09-30 15:52:11 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	二維半導體材料是下世代技術節點的候選材料，而在導入實際的元件應用前，仍有許多技術瓶頸需要克服，包含材料合成、關鍵製程與設備、功能性元件驗證等，本研究將探索與挑戰上述這些關鍵問題，並評估在各製程可能遭遇的問題，提供進入元件製造前的可行性解決方案。除了對於二維半導體材料、介面科學的基礎研究外，也延伸到元件製作與應用等工程分析，並對於下世代的半導體科技、光電產業與前瞻電子材料之人才培育有重要的影響。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 研究計畫

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