高壓氮化鎵元件研發及其在電動車的應用( I );Modeling and Reliability of High-Voltage 1700v Gan Devices( I )

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 研究計畫 > Item 987654321/94084

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/94084

題名:	高壓氮化鎵元件研發及其在電動車的應用( I );Modeling and Reliability of High-Voltage 1700v Gan Devices( I )
作者:	辛裕明;劉宇晨;綦振瀛;郭浩中;邱煌仁;邱顯欽
貢獻者:	國立中央大學光電科學研究中心
關鍵詞:	氮化鎵;電動車充電電路;半橋驅動器;DC/DC轉換器;GaN;EV OBC;half-bridge driver;DC/DC converter
日期:	2024-09-27
上傳時間:	2024-09-30 15:52:34 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	總計畫將可以達成開發>1700-V寬能隙元件(GaN FET)和其建構的高壓GaN半橋驅動器，多相位多通道雙向升降壓充電器系統和後級雙向DC/DC轉換器。計畫執行過程可以藉由開會交流，成果發表或是市場動態需求達成研究成果技轉或是商品化的可能。此外學術端的研究，由最上游的>1200-V磊晶技術探討新穎結構與材料之磊晶技術，突破現有之專利，追求元件特性最佳化，並解決GaN元件之可靠性問題。中游的高壓(>1200/1700-V)製程技術和新穎元件模型則藉由製程開發和佈局設計充分發揮磊晶品質達成更可靠的低電阻元件，提供功率元件的最佳選擇。最後的車用充電應用電路呈現，可以繼續提出GaN上下游整合解決方案
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 研究計畫

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	69	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing