English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 41618241      線上人數 : 1999
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/94128


    題名: 採用PERC底層架構之鈣鈦礦/矽晶堆疊式電池:PERC電池正面鈍化導電層技術開發;Perovskite–Silicon Tandem Solar Cells Based on Perc Technology: Development of the Front-Side Passivating Conductive Contact Layer of Perc Bottom Cells
    作者: 陳一塵
    貢獻者: 國立中央大學材料科學與工程研究所
    關鍵詞: 透明導電氧化物薄膜;鈍化層;局部射極及背面鈍化結構;鈣鈦礦-矽晶堆疊式結構太陽能電池;Transparent oxide films;Passivation layer;Passivated emitter and rear contact;Perovskite-Si tandem cells
    日期: 2024-09-27
    上傳時間: 2024-09-30 16:10:58 (UTC+8)
    出版者: 國家科學及技術委員會(本會)
    摘要: 串疊型鈣鈦礦-矽晶太陽能電池(PVK/c-Si tandem cells)是未來新一代太陽能電池的主要發展方向,國內業界在投入串疊型電池技術開發仍在起步階段。由於目前矽晶電池市場的主流為PERC結構電池,因此本計劃以PERC電池結構為基礎,進行開發其正面透明導電鈍化傳導層製程技術,將可使PERC結構適用於製作高效率PVK/c-Si 串疊電池。由於本計畫所開發之技術可良好結合業界目前採用之PERC製程設備與生產流程,可大幅降低串疊型電池的研發與製作成本。
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[材料科學與工程研究所 ] 研究計畫

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML42檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明