以分子束磊晶成長超薄凡德瓦異質結構及其電子結構解析;Molecular Beam Epitaxy Growth of Ultrathin Van Der Waals Heterostructures and Electronic Structure Characterizations( I )

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題名:	以分子束磊晶成長超薄凡德瓦異質結構及其電子結構解析;Molecular Beam Epitaxy Growth of Ultrathin Van Der Waals Heterostructures and Electronic Structure Characterizations( I )
作者:	林孟凱
貢獻者:	國立中央大學物理學系
關鍵詞:	二維材料;凡德瓦材料;超薄薄膜;異質結構;分子束磊晶;角解析光電子能譜;能帶結構;two-dimensional materials;van der Waals materials;ultrathin films;heterostuctures;molecular beam epitaxy (MBE);angle-resolved photoemission spectroscopy (ARPES);band structures
日期:	2024-09-27
上傳時間:	2024-09-30 17:09:12 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	本研究計畫將發展分子束磊晶技術，並以此技術成長大面積高品質之凡德瓦二維材料及異質結構；我們亦將結合表面科學研究技術，探討在低維度下材料的能帶結構及界面間交互作用。除發展超薄薄膜、異質結構成長技術外，我們亦將嘗試解明凡德瓦材料層間耦合的機制。對於凡德瓦界面作用機制的解明，將能夠協助現今基礎科學及材料應用研究的材料選擇方向。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[物理學系] 研究計畫

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