C頻帶射頻電路設計及模組封裝; C band RF circuit and package design

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題名:	C頻帶射頻電路設計及模組封裝;C band RF circuit and package design
作者:	蘇珍儀;Jen-Yi Su
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	封裝;升頻器;混頻器;壓控振盪器;功率放大器;packaging;up-converter;mixer;VCO;power amplifier;IEEE 802.11a
日期:	2003-06-05
上傳時間:	2009-09-22 11:49:19 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	摘要因為無線通訊的蓬勃發展，為了產品的低成本及整合度上的需要，所以近幾年來CMOS在製程技術上不斷進步，使它的高頻電路應用上有不錯的表現，以至於主導了在5 GHz以下的射頻無線通訊電路設計。但在功率放大器的設計上，還是有相當多的設計以GaAs為主。因為GaAs的工作頻率及特性都來的比CMOS好，但唯有缺點就是價格貴。所以在本論文中，第二章介紹了功率放大器的原理及設計方法，並且以GaAs的製程設計了兩級的功率放大器，量測結果再跟模擬做一比較。在第三章中，介紹振盪器的原理與設計方法，以及設計一個振盪在5.2 GHz的壓控振盪器。第四章所介紹的是升頻電路，以CMOS的製程來做設計，其中包括混頻器及功率放大器，而本地振盪源訊號由外部提供，並沒有做在晶片之內。最後第五章以封裝實做為主，將第二章所做的功率放大器晶片請日月欣幫忙封裝，要來探討封裝對於5.2 GHz電路的影響，及其所造成的效應
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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