第三族氧化物與氮化物寬能隙半導體的整合以應用於下世代電子元件;Integration of Group-Iii Oxide and Iii-Nitride-Based Wide Bandgap Semiconductors for Next-Generation Electronics Applications

NCUIR > College of Electrical Engineering & Computer Science > Department of Electrical Engineering > Research Project > Item 987654321/96040

Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/96040

Title:	第三族氧化物與氮化物寬能隙半導體的整合以應用於下世代電子元件;Integration of Group-Iii Oxide and Iii-Nitride-Based Wide Bandgap Semiconductors for Next-Generation Electronics Applications
Authors:	綦振瀛
Contributors:	國立中央大學電機工程學系
Keywords:	氧化鎵;氮化鎵;寬能隙半導體;Ga2O3;GaN;Wide bandgap semiconductors
Date:	2025-03-11
Issue Date:	2025-03-11 17:42:32 (UTC+8)
Publisher:	國家科學及技術委員會(本會)
Abstract:	此國際合作計畫將整合氧化鎵與氮化鎵之磊晶結構，以應用於下世代功率電子元件及光電元件。這兩種材料都是目前備受矚目的寬能隙半導體，整合後可發揮二者之優點，提升元件特性，在學術上亦可首次揭開此二材料之異質接面的物理特性，極有研究價值。
Relation:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
Appears in Collections:	[Department of Electrical Engineering] Research Project

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
index.html		0Kb	HTML	2	View/Open

社群 sharing