使用DS及CCz長晶法開發生長太陽光電產業級的矽晶定;Development and Growth of Industry Scale Ds and Ccz Silicon Ingots for Pv Applications

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Title:	使用DS及CCz長晶法開發生長太陽光電產業級的矽晶定;Development and Growth of Industry Scale Ds and Ccz Silicon Ingots for Pv Applications
Authors:	陳志臣
Contributors:	國立中央大學機械工程學系
Keywords:	連續式柴氏長晶法;直接固化長晶法;數值模擬;對流;質傳;氧雜質;Continuous Czochralski Crystal Growth;Directional Solidification Crystal Growth;Numerical Simulation;Convection;Mass Transfer;Oxygen Impurity
Date:	2025-03-11
Issue Date:	2025-03-11 17:44:20 (UTC+8)
Publisher:	國家科學及技術委員會(本會)
Abstract:	CCz所生長矽單晶，可有效控制氧含量並延長少數載流子壽命，維持摻雜劑於晶棒中的均勻性及提高生產速率，對發展n型矽太陽能電池具關鍵重要性，是目前太陽能產業的焦點技術。
Relation:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
Appears in Collections:	[Departmant of Mechanical Engineering ] Research Project

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