建構μ-銲錫合金接點之微結構控制模型及其與電遷移失效機制相關性研究;Constructing a Control Model of Μ-Solder Joint Microstructure and Studying Its Correlation with Electromigration Failure Mechanism

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題名:	建構μ-銲錫合金接點之微結構控制模型及其與電遷移失效機制相關性研究;Constructing a Control Model of Μ-Solder Joint Microstructure and Studying Its Correlation with Electromigration Failure Mechanism
作者:	劉正毓
貢獻者:	國立中央大學化學工程與材料工程學系
關鍵詞:	電子封裝;晶片鍵結;先進封裝技術;無鉛銲料;凝固;過冷度;成核;成長;電遷移;銲料微凸塊;Electronic packaging;chip bonding;advanced packaging rechnique;lead-free solder;solidification;undercooling;nucleation;growth;electromigration;micro-solder joint
日期:	2025-07-31
上傳時間:	2025-08-07 16:48:54 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	本計畫之目的為建立μ-銲錫接點中晶片端Cu pillar及基板端Cu墊層對應的金屬墊層種類及參數(金屬墊層厚度和成分)與錫合金凝固後的晶面取向、晶界密度及晶界misorientation angle分布之模型，同時建立電遷移失效機制，對於失效現象提供了創新且嚴謹的分析方法來找到關鍵的失效模式並藉由錫合金顯微結構的控制模型來增進電遷移可靠度，而目前無研究學者能在符合產業製程需求下控制銲錫接點凝固後的顯微結構，不僅能為學術領域做出了重要貢獻，也幫助半導體封裝產業可藉由理論的知識明確識別並調整適當金屬墊層參數，依據產品應用需求，設計銲錫接點之晶片端Cu pillar及基板端Cu墊層所要的金屬墊層種類及參數，得到最佳電遷移可靠度之μ-銲錫接點。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[化學工程與材料工程學系 ] 研究計畫

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