玻璃基板金屬化及低溫低壓銅-銅直接鍵合技術開發暨可靠度分析建模;Development of Glass Substrate Metallization and Low-Temperature, Low-Pressure Cu-Cu Direct Bonding Technology with Reliability Analysis and Modeling

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題名:	玻璃基板金屬化及低溫低壓銅-銅直接鍵合技術開發暨可靠度分析建模;Development of Glass Substrate Metallization and Low-Temperature, Low-Pressure Cu-Cu Direct Bonding Technology with Reliability Analysis and Modeling
作者:	劉正毓
貢獻者:	國立中央大學化學工程與材料工程學系
關鍵詞:	3D-IC封裝;矽光子封裝;CPO共同封裝光學元件;TGV填銅;低溫低壓銅-銅直接鍵合;晶片鍵結;電遷移;3D-IC packaging;Silicon photonics packaging;CPO Co-Packaging Optics;TGV Cu filling;Low temperature and pressure Cu-Cu direct bonding;Chip bonding;electromigration
日期:	2025-07-31
上傳時間:	2025-08-07 16:48:59 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	隨電晶體線寬縮至數奈米，製程微縮接近物理極限。為增加電晶體密度，3D封裝提升了有限空間的使用效率。矽光子封裝成為下一代先進封裝技術的核心，其中關鍵技術CPO將採用銅-銅直接鍵合進行垂直整合，並在Chip與Wafer間使用玻璃基板進行銅佈線。相較傳統Sn製程，純銅線路能降低接觸電阻、減少訊號損失、縮短傳輸路徑，並改善晶片散熱問題。第一年將實現超高深寬比(Aspect ratio=10)極細銅線路與Cu pillar的高效製備，為低溫低壓銅-銅直接鍵合提供所需關鍵參數與模擬；第二年聚焦於不同溫壓條件下的低溫低壓銅-銅直接鍵合，研究其介面擴散機制；第三年進行可靠度測試，分析破壞行為與失效機制，並建立電遷移、推力測試、熱循環與熱衝擊失效模型。此計畫對提升低溫低壓銅-銅直接鍵合技術的界面穩定性與可靠性具有重大意義，並為實際應用提供關鍵模型。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[化學工程與材料工程學系 ] 研究計畫

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