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化學工程與材料工程學系
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Item 987654321/96706
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https://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/96706
題名:
玻璃基板金屬化及低溫低壓銅-銅直接鍵合技術開發暨可靠度分析建模
;
Development of Glass Substrate Metallization and Low-Temperature, Low-Pressure Cu-Cu Direct Bonding Technology with Reliability Analysis and Modeling
作者:
劉正毓
貢獻者:
國立中央大學化學工程與材料工程學系
關鍵詞:
3D-IC封裝
;
矽光子封裝
;
CPO共同封裝光學元件
;
TGV填銅
;
低溫低壓銅-銅直接鍵合
;
晶片鍵結
;
電遷移
;
3D-IC packaging
;
Silicon photonics packaging
;
CPO Co-Packaging Optics
;
TGV Cu filling
;
Low temperature and pressure Cu-Cu direct bonding
;
Chip bonding
;
electromigration
日期:
2025-07-31
上傳時間:
2025-08-07 16:48:59 (UTC+8)
出版者:
國家科學及技術委員會(本會)
摘要:
隨電晶體線寬縮至數奈米,製程微縮接近物理極限。為增加電晶體密度,3D封裝提升了有限空間的使用效率。矽光子封裝成為下一代先進封裝技術的核心,其中關鍵技術CPO將採用銅-銅直接鍵合進行垂直整合,並在Chip與Wafer間使用玻璃基板進行銅佈線。相較傳統Sn製程,純銅線路能降低接觸電阻、減少訊號損失、縮短傳輸路徑,並改善晶片散熱問題。第一年將實現超高深寬比(Aspect ratio=10)極細銅線路與Cu pillar的高效製備,為低溫低壓銅-銅直接鍵合提供所需關鍵參數與模擬;第二年聚焦於不同溫壓條件下的低溫低壓銅-銅直接鍵合,研究其介面擴散機制;第三年進行可靠度測試,分析破壞行為與失效機制,並建立電遷移、推力測試、熱循環與熱衝擊失效模型。此計畫對提升低溫低壓銅-銅直接鍵合技術的界面穩定性與可靠性具有重大意義,並為實際應用提供關鍵模型。
關聯:
財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
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[化學工程與材料工程學系 ] 研究計畫
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