脈衝磁控濺鍍磊晶β-氧化鎵薄膜技術與抗輻射元件製程研究;Research on Pulse Magnetron Sputtering Epitaxial Β-Gallium Oxide Thin Film Technology and Radiation-Hardened Devices

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題名:	脈衝磁控濺鍍磊晶β-氧化鎵薄膜技術與抗輻射元件製程研究;Research on Pulse Magnetron Sputtering Epitaxial Β-Gallium Oxide Thin Film Technology and Radiation-Hardened Devices
作者:	陳昇暉
貢獻者:	國立中央大學光電科學與工程學系
關鍵詞:	濺鍍磊晶;氧化鎵薄膜;抗輻射元件;sputtering epitaxy;gallium oxide thin film;radiation-hardened device
日期:	2025-07-31
上傳時間:	2025-08-07 17:00:19 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	本計畫"脈衝磁控濺鍍磊晶β-氧化鎵薄膜技術與抗輻射元件製程研究"，計畫之亮點製程技術主要包含高能脈衝磁控濺鍍技術與液態金屬靶材技術，整合而成，是一項新型鍍膜技術，其中之目標為發展高能脈衝濺鍍技術與濺鍍磊晶薄膜技術。利用本團隊自主開發的低溫脈衝磁控濺鍍磊晶系統開發出濺鍍磊晶製程，期望能達到可商業化之需求，且提升其可量產性以增加市場競爭力。因此目標為將研究成果實際應用在產業上，除了持續進行新型材料研究與製程開發外，也保持與產業的接觸與磨合。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 研究計畫

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