應用六方氮化硼於深紫外發光二極體之模擬研究

NCU Institutional Repository > 工學院 > 機械工程研究所 > 博碩士論文 > Item 987654321/98767

請使用永久網址來引用或連結此文件: https://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/98767

題名:	應用六方氮化硼於深紫外發光二極體之模擬研究
作者:	劉雯期;Liu, Wen-Chi
貢獻者:	機械工程學系
關鍵詞:	深紫外發光二極體;六方氮化硼;電子阻擋層;內部量子效率;DUV-LEDs;Hexagonal Boron Nitride;Electron blocking layer;Internal quantum efficiency
日期:	2025-08-27
上傳時間:	2025-10-17 13:18:05 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學
摘要:	本研究探討六方氮化硼(h-BN)作為深紫外光發光二極體(DUV-LED)電子阻擋層(EBL)之應用潛力，並與傳統氮化鋁鎵(AlGaN)進行比較。透過 COMSOL 半導體模組進行一維模擬，分析其對能帶結構、電流-電壓特性曲線(I-V Curve)及內部量子效率(IQE)之影響。研究結果顯示，六方氮化硼可提供更高導帶能障，顯著抑制電子洩漏。因此，相較於傳統氮化鋁鎵電子阻擋層，六方氮化硼電子阻擋層具提升電流導通能力，可改善內部量子效率衰退現象。;This study investigates the potential of hexagonal boron nitride (h-BN) as an electron blocking layer (EBL) in deep ultraviolet light-emitting diodes (DUV-LEDs), in comparison with a conventional EBL made of aluminum gallium nitride (AlGaN). One-dimensional simulations were conducted using COMSOL Multiphysics to analyze the effects on the energy band diagram, current-voltage (I-V) characteristics, and internal quantum efficiency (IQE). The simulation results indicate that incorporating the h-BN as an EBL provides a higher electron potential barrier, effectively suppressing electron leakage. Therefore, compared with the conventional AlGaN EBL, the h-BN BEL may enhance current conduction and help mitigate the IQE droop.
顯示於類別:	[機械工程研究所] 博碩士論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	23	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing

資料載入中.....