III-V族化合物半導體(磷化銦和砷化鎵)之發光二極體表面粗糙化水溶液開發( II );Development of an Aqueous Solution for Surface Roughening of Iii-V Compound Semiconductor (Indium Phosphide and Gallium Arsenide) Light Emitting Diodes( II )

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題名:	III-V族化合物半導體(磷化銦和砷化鎵)之發光二極體表面粗糙化水溶液開發( II );Development of an Aqueous Solution for Surface Roughening of Iii-V Compound Semiconductor (Indium Phosphide and Gallium Arsenide) Light Emitting Diodes( II )
作者:	曹恆光
貢獻者:	國立中央大學化學工程與材料工程學系
關鍵詞:	發光二極體;磷化銦;砷化鎵;表面粗化;5G通訊;穿戴式裝置;LED;GaAs;InP;Surface roughening;5G Communication Technology;Wearable devices
日期:	2026-01-22
上傳時間:	2026-01-23 16:04:27 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	本計畫的執行可以確保合作企業的客戶在量產磷化銦發光二極體元件時，能使用對應的表面粗化配方，縮短整體產品開發所需的時間。而客製化的砷化鎵表面粗化配方，則可使客戶進一步優化其商業產品，讓消費者獲得更優質的產品使用體驗。這兩種粗化配方也能為未來其他多元半導體材料的粗化配方開發積累寶貴經驗。表面粗化配方對台灣半導體產業發展影響大，故極具經濟價值。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[化學工程與材料工程學系 ] 研究計畫

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