用新變數法探討一維半導體元件之交流模擬; New Variables for AC Simulation of 1–D Semiconductor Devices

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题名:	用新變數法探討一維半導體元件之交流模擬;New Variables for AC Simulation of 1–D Semiconductor Devices
作者:	吳賀傑;Ho-Chieh Wu
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	交流;ac
日期:	2007-06-28
上传时间:	2009-09-22 12:07:40 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	在這篇論文中，我們使用新變數來處理一維元件之AC模擬，同時，使用兩種方法來執行模擬，其一是經由內部模擬器來進行，另一個是經由外部模擬器，也就是我們實驗室所開發的AC_CKT 電路模擬器來執行。我們會介紹AC_CKT的使用方法並用幾個範例來介紹輸入檔的撰寫格式，然後我們以一個金氧半電晶體來做驗證，在不同頻率下量測其C-V曲線，最後比較兩種方法得到的模擬結果。 In this thesis, we use new variables to process 1-D device ac simulation. We develop two methods for ac simulation. One is through the internal ac solver. The other is through AC_CKT simulator which is developed by our group. We will introduce the AC_CKT simulator and use some examples to show how to write the input file for the AC_CKT simulator. Then, we use an MOS capacitor as an example to measure the C-V curve under different frequencies. Finally, we will compare the simulation results of the two methods.
显示于类别:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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