Enhancing the quantum efficiency of InGaN green light-emitting diodes by trimethylindium treatment

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題名:	Enhancing the quantum efficiency of InGaN green light-emitting diodes by trimethylindium treatment
作者:	Lin,Hung-Cheng;Lin,Ruo-Syuan;Chyi,Jen-Inn
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;GROWTH;GAN;SURFACTANT;INDIUM;WELLS;GAN(0001)
日期:	2008
上傳時間:	2010-07-06 18:12:36 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	This work demonstrates the effectiveness of using trimethylindium (TMIn) treatment to improve the luminescence efficiency of InGaN/GaN quantum wells grown by metal-organic vapor-phase epitaxy. Photoluminescence, x-ray diffraction, atomic force microscopy,
關聯:	APPLIED PHYSICS LETTERS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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