Design and analysis of separate-absorption-transport-charge-multiplication traveling-wave avalanche photodetectors

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32389

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32389

题名:	Design and analysis of separate-absorption-transport-charge-multiplication traveling-wave avalanche photodetectors
作者:	Shi,JW;Liu,YH;Liu,CW
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	GAIN-BANDWIDTH PRODUCT;MU-M OPERATION;HIGH-SPEED;HIGH-POWER;1.3-MU-M OPERATION;FREQUENCY-RESPONSE;PHOTODIODES;PERFORMANCES;LAYER;SIGE
日期:	2004
上传时间:	2010-07-06 18:26:08 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	This paper proposes a novel type of avalanche photodiode-the separate-absorption-transport-charge-multiplication (SATCM) avalanche photodiode (APD). The novel design of photoabsorption and multiplication layers of APDs can avoid the photoabsorption layer
關聯:	JOURNAL OF LIGHTWAVE TECHNOLOGY
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	382	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing