X-ray scattering studies on InGaAs quantum dots

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程研究所 > 期刊論文 > Item 987654321/32510

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32510

题名:	X-ray scattering studies on InGaAs quantum dots
作者:	Hsu,CH;Lee,HY;Hsieh,YW;Stetsko,YP;Tang,MT;Liang,KS;Yeh,NT;Chyi,JI;Noh,DY
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	STRAIN
日期:	2003
上传时间:	2010-07-06 18:30:15 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We present a structural investigation of self-assembled InGaAs quantum dots on GaAS(0 0 1) substrates grown by molecular-beam epitaxy. The grazing incidence X-ray scattering measurements were performed at BL17B of Taiwan Light Source and BL12B2 of SPring-
關聯:	PHYSICA B-CONDENSED MATTER
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	573	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing