離子佈植對矽晶奈米線成長影響之研究; Effects of Ion Implantation on the Growth of Silicon Nanowires

NCU Institutional Repository > 工學院 > 化學工程與材料工程學系 > 研究計畫 > Item 987654321/42139

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/42139

題名:	離子佈植對矽晶奈米線成長影響之研究;Effects of Ion Implantation on the Growth of Silicon Nanowires
作者:	鄭紹良
貢獻者:	化學工程與材料工程系
關鍵詞:	金屬矽化物;離子佈植;界面反應;金屬奈米粒子;矽奈米線;材料科技;物理類
日期:	2005-07-01
上傳時間:	2010-11-30 15:07:13 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	隨著元件尺寸進入奈米世代，奈米材料的先進製程可預見在未來的微電子及光電元件研發中將扮演一關鍵性的角色。其中，一維尺度之矽晶奈米線 (silicon nanowire) 由於其具備優異之物理性質且其與目前傳統IC 製程與設備整合之相容性高等優勢，使其成為未來奈米元件應用中最主要之候選者。另一方面，在半導體製程中離子佈植 (ion implantation) 常被用以在矽晶片上形成淺接面 (shallow junction)；且由先前許多研究結果顯示，不同種類的摻雜離子 (如As+，BF2 +) 對金屬薄膜與矽晶基材間界面反應及其相轉換之影響非常顯著。然而目前探討不同離子佈植條件對矽奈米線成長與性質影響的研究卻十分缺乏。因此，本計畫將深入探討不同種類的摻雜離子對矽奈米線生成機制之效應，尤其對其外表型態、晶體結構、成份變化和發光特性等影響的鑑定分析，都將是主要的研究方向。在本年度計畫之執行規劃上，將先在矽晶基材中佈植不同劑量的As+與BF2 +摻雜離子，再於這些矽晶基材表面鍍製很薄之金或鎳金屬奈米粒子作為催化劑，經由控制退火反應溫度、時間等條件以成長矽奈米線。接著分別運用各種檢測與分析儀器 (如, XRD, AFM, SEM, SIMS, TEM, EDS, PL…等)，針對不同條件製備出的矽奈米線作詳細研究，以釐清不同摻雜離子在矽奈米線初期成長機制、內部結構、成份與發光特性上所造成之影響。相關研究結果相信將可提供半導體或光電產業在製備高品質矽晶奈米線時另一重要的參考。研究期間：9308 ~ 9407
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[化學工程與材料工程學系 ] 研究計畫

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	377	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing

資料載入中.....