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    日期題名作者
    2022-11-15 氮化鎵電晶體在雙脈衝動態量測後之特性分析;Characteristics analysis of GaN HEMTs after double pulse test 陳威嘉; Chen, Wei-Chia
    2022-11-04 化合物半導體元件設計零電壓切換諧振電路;Design of Zero Voltage Switching Resonant Circuit for Compound Semiconductor Components 范文豪; Fan, Wen-Hao
    2022-11-03 應用自差分電路對具有不同擊穿電壓之多層累增層的砷化銦鎵/砷化銦鋁之單光子雪崩二極體性能影響;Effect of self-differencing circuit on InGaAs/InAlAs single photon avalanche diodes of multiple multiplication layers with different punch through voltages 張筠萱; Chang, Yun-Hsuan
    2022-10-26 通過虛擬源極傳輸模型對16-nm應變矽鰭式場效電晶體低溫準彈道傳輸的電性變化建模;Enhanced Cryogenic Quasi-Ballistic Transport in 16-nm Strained Silicon FinFETs by the Spice Assisted Virtual Source Modeling from Device to Circuit Level 王子穎; Wang, Tzu-Ying
    2022-10-25 具有通道熱電子注入編程能力的40nm 4kb 1T OTP陣列的設計和實現;Design and Implementation of a 40nm 4kb 1T OTP Array with Channel Hot Electron Injection Programming Scheme 葉宥鋐; YE, YOU-HONG
    2022-10-25 基於十六奈米鰭式場效電晶體平台實現通道轟擊電離編程機制之低成本高速嵌入式動態隨機存取記憶體;A Low-cost and High-speed Memory-array of Embedded DRAM by Channel-impact-ionization (CII) Program-scheme in 16 nm FinFET Platform 黃誠楓; Huang, Cheng-Feng
    2022-10-25 基於閾值電壓電性擾動所實現之高速亂數產生率的40-nm 4T-SRAM真亂數產生器記憶體矩陣晶片;Implementation of High-speed TRNGs Composed of 40-nm Loadless 4T-SRAM Memory-array Based on the Vth Electrical Variability 吳奕陞; Wu, Yi-Sheng
    2022-09-30 具雙層二維電子氣通道閘極蝕刻氮化鎵高電子遷移率電晶體 許浩青; Hsu, Hao-Ching
    2022-09-30 適用於 MobileNet 及 ShuffleNet 的低功耗低 面積可重構人工智慧加速器設計;A Low-Power Low-Area Reconfigurable AI Accelerator Design for MobileNet and ShuffleNet 謝宗翰; Hsieh, Tsung-Han
    2022-09-29 石墨烯改善歐姆接觸之氮化鎵高電子遷移率電晶體 謝宖鋼; Xie, Hong-Gang

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