鄰近類別 研究計畫 [36/36] 期刊論文 [951/951] 考古題 [397/397] 類別統計 近3年內發表的文件: 391(12.94%) 含全文筆數: 3021(100.00%) 文件下載次數統計 下載大於0次: 3021(100.00%) 下載大於100次: 2827(93.58%) 檔案下載總次數: 1758033(72.27%) 最後更新時間: 2025-12-25 11:36 上傳排行 資料載入中..... 下載排行 資料載入中..... 最近上傳 無感測器永磁同步馬達之 I-F 啟動與 ASMO-FOC 無縫切換控制... 石墨烯奈米帶之電子熱整流探討:石墨烯異質結構拓樸態的傳輸應用;Inve... 基於40nm 65kb 1T1R 多阻態電阻式記憶 體的真亂數產生器 ... 具有高可靠度之通道擊穿型28nm 2kb 雙電晶體單次編程記憶體晶片;... 電網失真不平衡下相位偵測標么化延遲信號消除鎖相迴路之研製;Develo... 基於虛擬磁通無電流感測直接功率控制不平衡電網下三相維也納整流器系統之研... 基於SRAM的記憶體內運算之測試;Testing of SRAM-ba... 基於SRAM之Systolic計算式記憶體架構與設計自動化;Systo... 使用120-nm GaN HEMT 與 100-nm GaAs pHE... 使用 120-nm GaN HEMT 與 100-nm GaAs pH...

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日期	題名	作者
2023-01-04	具接收端前饋式等化器補償之 10 Gb/s全速率接收端電路;A 10 Gb/s Full-Rate Receiver with RX-FFE Compensation	王遠; Wang, Yuan
2022-12-02	用於響應穩定性的老化感知平行掃描鏈PUF設計;Aging-aware Parallel Scan-Chain PUF Design for Stability of Responses	李宗穎; Tzong-Ying, L
2022-11-21	羽球自動收集與檢測之智慧機器人	陳冠霖; Chen, Kuan-Lin
2022-11-15	不同基板氮化鎵電晶體之變溫特性分析;Analysis of variable temperature characteristics of GaN HEMTs with different substrates	羅皓玄; Lo, Hao-Hsuan
2022-11-15	氮化鎵電晶體在雙脈衝動態量測後之特性分析;Characteristics analysis of GaN HEMTs after double pulse test	陳威嘉; Chen, Wei-Chia
2022-11-04	化合物半導體元件設計零電壓切換諧振電路;Design of Zero Voltage Switching Resonant Circuit for Compound Semiconductor Components	范文豪; Fan, Wen-Hao
2022-11-03	應用自差分電路對具有不同擊穿電壓之多層累增層的砷化銦鎵/砷化銦鋁之單光子雪崩二極體性能影響;Effect of self-differencing circuit on InGaAs/InAlAs single photon avalanche diodes of multiple multiplication layers with different punch through voltages	張筠萱; Chang, Yun-Hsuan
2022-10-26	通過虛擬源極傳輸模型對16-nm應變矽鰭式場效電晶體低溫準彈道傳輸的電性變化建模;Enhanced Cryogenic Quasi-Ballistic Transport in 16-nm Strained Silicon FinFETs by the Spice Assisted Virtual Source Modeling from Device to Circuit Level	王子穎; Wang, Tzu-Ying
2022-10-25	具有通道熱電子注入編程能力的40nm 4kb 1T OTP陣列的設計和實現;Design and Implementation of a 40nm 4kb 1T OTP Array with Channel Hot Electron Injection Programming Scheme	葉宥鋐; YE, YOU-HONG
2022-10-25	基於十六奈米鰭式場效電晶體平台實現通道轟擊電離編程機制之低成本高速嵌入式動態隨機存取記憶體;A Low-cost and High-speed Memory-array of Embedded DRAM by Channel-impact-ionization (CII) Program-scheme in 16 nm FinFET Platform	黃誠楓; Huang, Cheng-Feng

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