異質結構高速移導率電晶體模擬、製作與大訊號模型之建立; pHEMT’s Simulation 、Fabrication and Nonlinear Modeling

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題名:	異質結構高速移導率電晶體模擬、製作與大訊號模型之建立;pHEMT’s Simulation 、Fabrication and Nonlinear Modeling
作者:	林正國;Cheng-Kuo Lin
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	異質結構;砷化鎵;小訊號模型;非線性模型;pHEMT;GaAs;Small-Signal Model;Nonlinear Model
日期:	2001-06-26
上傳時間:	2009-09-22 11:41:05 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	隨著微波技術的日趨重要，主動元件上的要求也愈來愈高，而矽基板與傳統砷化鎵金屬-半導體電晶體(MESFET)在功率上的表現已不敷使用。而異質結構的高速場效應電晶體(HEMT)、異質雙載子電晶體(HBT)在高頻電路的角色愈來愈顯重要。而本論文是以探討高速場效應電晶體為主本論文首先以二維元件模擬軟體TMA-MEDICI模擬單、雙異質結構高速移導率電晶體的電性特性及比較，決定出雙異質結構適合作為高頻功率元件，然後利用博達科技分子束磊晶系統(MBE)成長出我們需要的晶圓，再使用本校無塵室與量測設備製作元件與測量元件直流、高頻與功率特性。並利用Cold FET等量測方法萃取元件內外部元件參數建立小訊號模型。最後，再建立微波軟體中經改良的砷化鎵大訊號模型建立本元件之非線性模型，並與量測功率特性及線性度作比較。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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