自我對準矽化鎳奈米電極之製作與電性分析

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姓名

朱銘健(Ming-chien Chu) 查詢紙本館藏

畢業系所

電機工程學系

論文名稱

自我對準矽化鎳奈米電極之製作與電性分析
(Study of self-aligned nickel silicide nanoelectrodes)

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摘要(中)

本論文之主題，在於研究探討自我對準矽化鎳奈米電極的製作，以取代高摻雜的複晶矽電極。希望藉此改善奈米電極的串聯阻抗，尤其是操作溫度低於室溫時，所衍生阻抗過大的問題。因此如何控制鎳與複晶矽奈米線的回火條件以形成矽化鎳，以及鎳在奈米線下橫向擴散的機制，則是我們研究的重點。
本論文利用不同大小的複晶矽奈米線，與鎳經回火後形成矽化鎳。藉由調變回火時間（0 ~ 270 sec），來控制奈米尺寸下矽化的長度（630 ~ 1900 nm）。所製作的自我對準矽化鎳奈米線，在調變不同奈米線的幾何尺寸，利用電性量測來進一步的了解，矽化鎳奈米線所形成電極之阻抗。

摘要(英)

The theme of this paper is to study self-aligned nickel silicide nanoelectrodes to replace the highly doped poly-Si electrodes. Hope to improve the nano- electrodes series resistance, especially when the operating temperature is below room temperature, derived from the problem of excessive resistance. Therefore, how to control the mechanism of lateral diffusion at nano-scale when annealing Ni with poly-Si to from NiSi is our research.
In this thesis, we control the length ( 630 ~ 1900 nm ) of NiSi at nano-scale by modulating the annealing time ( 0 ~ 270 sec ) and making different sizes of poly-Si nano-wires to react with Ni while annealing NiSi. Making a self-aligned of electrode NiSi nano-wires and modulating different geometry of nano-wires can further the understanding of the electrode resistance that NiSi nano-wire forms by using the measurement.

關鍵字(中)

★ 矽化鎳

關鍵字(英)

★ NiSi

論文目次

第一章簡介‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 1
1-1 半導體元件發展‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 1
1-2 金屬矽化物製程技術的發展‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 1
1-3 奈米尺寸下矽化鎳橫向擴散的研究趨勢‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 5
1-4 研究動機‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 7
第二章鎳橫向擴散結構之製備與探討‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 14
2-1 前言‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 14
2-2 鎳橫向擴散的實驗流程‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 14
2-3 鎳橫向擴散的實驗結果與分析‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 17
第三章奈米尺寸矽化鎳片電阻值的製作與電性分析‧‧‧‧ 36
3-1 前言‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 36
3-2 實驗流程‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 36
3-3 實驗結果與電性分析‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 38
第四章總結與未來展望‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 53
參考文獻 ‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧‧ 54

參考文獻

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指導教授

李佩雯(Pei-wen Li)

審核日期

2011-6-8

推文