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姓名	柯宏憲(Hong-hsien Ke)  查詢紙本館藏	畢業系所	物理學系
論文名稱	氧硒化鋅合金的拉曼光譜研究 (Raman spectroscopic analysis of ZnSeO alloys)
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摘要(中)	本論文所研究之氧硒化鋅合金，氧濃度分布於1.5%
摘要(英)	The oxygen concentrations of ZnSe1-xOx alloys studied in this thesis are in the range of 1.5%
關鍵字(中)	★ 拉曼光譜 ★ 氧硒化鋅合金	關鍵字(英)	★ ZnSeO alloys ★ Raman spectrum
論文目次	摘要 i Abstract ii 致謝 iii 目錄 iv 圖目錄 vi 表目錄 ix 第一章 簡介 1 1-1 氧硒化鋅與其光學特性 1 1-2 研究動機 4 第二章 基本原理 5 2-1 氧硒化鋅的晶格振盪 5 2-2 拉曼散射光譜原理 9 2-3 拉曼光譜譜型之不對稱性 13 2-4 應力引起之聲子能量偏移 16 第三章 實驗樣品與實驗技術 18 3-1 實驗樣品介紹 18 3-2 拉曼光譜實驗 20 3-3 光激發螢光光譜實驗 22 3-4 壓電調製反射光譜實驗 23 第四章 X光繞射、光激發螢光光譜與壓電調製反射光譜實驗結果與討論 27 4-1 實驗結果 27 4-2 綜合討論 34 第五章 拉曼光譜實驗結果與討論 36 5-1 不同氧濃度的氧硒化鋅之拉曼光譜 36 5-2 LO聲子模態譜型分析 45 5-3 激發波長對拉曼光譜的影響 55 5-4 多重LO聲子散射 60 5-5 氧引發之局域振動模態 67 第六章 結論 69 參考文獻 70
參考文獻	[1] C. V. Raman and K. S. Krishnan, “A new type of secondary radiation”, Nature (London) 121, 501-502 (1928) [2] J. C. Phillips, Bonds and Bands in Semiconductors (Academic, New York, 1973) [3] Y. Nabetani, T. Mukawa, Y. Ito, T. Kato, and T. Matsumoto, Appl. Phys. Lett. 83, 1148 (2003) [4] W. Shan et al., Appl. Phys. Lett. 83, 299 (2003) [5] Y. Nabetani et al., Mater. Sci. Semicond. Process. 6, 343 (2003) [6] W. Shan et al., Phys. Rev. Lett. 82, 1221 (1999) [7] J. Wu et al., Semicond. Sci. Technol. 17, 860 (2002) [8] J. Wu et al.,Phys. Rev. B 65, 233210 (2002) [9] W. Shan et al., J. Phys.: Condens. Matter 16, S3355-S3372 (2004) [10] Qiang Xu et al., Compos. Mater.Sci. 44, 72 (2008) [11] John P. Walter and Marvin L. Cohen, Phys. Rev. 183, 763 (1969) [12] 陳星宏，氧硒化鋅薄膜之光學特性研究，國立中央大學 物理學系 碩士論文 [13] 賴麒文，氧硒化鋅合金的能隙結構，國立中央大學 物理學系 碩士論文 [14] A. A. Ashrafi et al., J. Cryst. Growth, 221, 435 (2000) [15] P. Parayanthal and Fred H. Pollak, Phys. Rev. Lett., 52, 1822 (1984) [16] R. Shuker and R. W. Gammon, Phys. Rev. Lett. 40, 826 (1982) [17] H. Richter, Z. P. Wang, and L. Ley, Solid State Commun. 39, 625 (1981) [18] D. E. Aspnes and J. E. Rowe, Phys. Rev. Lett., 27, 188 (1971) [19] V. Swaminathan and A. T. Macrander: Materials Aspects of GaAs and InP Based Structures, p. 322 [20] F. H. Pollak, Semicond. Semimetals 32, 19 (1990) [21] K. Hayashi et al, Jpn. J. Appl. Phys. 30, 501 (1991) [22] B. Hennion et al, Phys. Lett. 36A, 376 (1971) [23] A. Mascarenhas and M. J. Seong, Semicond. Sci. Technol. 17, 823 (2002) [24] R. M. Martin and C. M. Varma, Phys. Rev. Lett. 26, 1241 (1971) [25] J. F. Scott et al, Opt. Commun. 1, 397 (1970) [26] F. H. Pollak, in Strained Layer Superlattices: Physics, volume edited by T. P. Pearsall, Semiconductors and Semimetals Vol. 32, series edited by R. K. Willardson and A. C. Beer (Academic, San Diego, 1990), p. 17. [27] Sadao Adachi, Properties of Semiconductor Alloys: Group-IV, III-V and II-VI Semiconductors, p. 99
指導教授	徐子民(Tzu-min Hsu)	審核日期	2012-7-23
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