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| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 周冠羽 | zh_TW |
| DC.creator | K-Y Chou | en_US |
| dc.date.accessioned | 2000-7-19T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2000-7-19T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2000 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=86226030 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 材料的特性方面，經過X-ray繞射(XRD)，光激光譜(PL)，及霍爾測試(Hall measurement)等量測獲得磊晶層之電特性與光特性如下：在300K時，晶格不匹配(Lattice mismatch)為332.4ppm，能隙為0.751eV，載子型別為n型，載子濃度為2 1015 /cm3，載子遷移率為3400cm2/v s。
在材料電性的研究方面。對於以離子佈植法摻雜Si+活化形成n+型半導體方面，我們已有不錯的實驗成果，將載子濃度由2 1015 /cm3提高到1 1018 /cm3以上。在摻雜Zn+轉變電性形成p+型半導體的方面，由Hall量測的結果，我們的實驗結果顯示，在面摻雜量為1 1014/cm2以上，以及8000C以上的活化溫度，比較容易成功將雜質活化。
在平面型PIN光偵測器的製作上，我們初步的嘗試也得到令人期待的結果。在逆偏壓10伏特時的暗電流，以擴散方式製作的元件有較小的暗電流，暗電流密度為1.12 10-3(A/cm2)；而以離子佈植方式所製作的元件有較大的暗電流，暗電流密度為4.2 10-2(A/cm2)。而元件漏電流大小也與元件面積成正相關。 | zh_TW |
| DC.subject | 離子佈植 | zh_TW |
| DC.subject | 閉管擴散 | zh_TW |
| DC.subject | 砷化銦鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 平面型光偵測器 | zh_TW |
| DC.title | 砷化銦鎵的電性研究與平面型PIN光偵測器的製作 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Electrical properties of InGaAs and the fabrication of AlInGaAs/InGaAs/InP laterial PIN photodetectors | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |