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DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
DC.creator | 林祐仲 | zh_TW |
DC.creator | Yow-Jon Lin | en_US |
dc.date.accessioned | 2009-5-11T07:39:07Z | |
dc.date.available | 2009-5-11T07:39:07Z | |
dc.date.issued | 2009 | |
dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=87246001 | |
dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
DC.description | National Central University | en_US |
dc.description.abstract | 在本次研究中,利用硫化銨 ((NH4) 2Sx) 溶液進行N型氮化鎵 (GaN) 表面處理,於蒸鍍鈦/鋁 (Ti/Al) 金屬後即形成特徵接觸電阻值5.0×10-5 Ω-cm2之歐姆接觸 (ohmic contact)。然後,再將它置於高溫爐在氮氣環境下,以300oC進行熱處理3分鐘即可獲得低的特徵接觸電阻值3.0×10-6 Ω-cm2 。另外,對於氮化鎵硫化處理效應更以各項實驗來加以驗證與推算,其包括:能夠完全去除氮化鎵表面原生氧化層,並且改善氮化鎵表面特性及提高表面載子濃度,以致於能夠形成非經熱處理之歐姆接觸、於氮化鎵表面形成鎵-硫(Ga-S) 鍵結防止表面再氧化、能夠減少表面態密度及表面複合速度和增加光子激發光光譜 (photoluminescence) 之強度、能獲得較好的蕭特基接觸 (Schottky contact) 特性。
| zh_TW |
DC.subject | 表面態 | zh_TW |
DC.subject | 歐姆接觸 | zh_TW |
DC.subject | 表面處理 | zh_TW |
DC.subject | 特徵接觸電阻 | zh_TW |
DC.subject | 蕭特基接觸 | zh_TW |
DC.subject | Schottky contact | en_US |
DC.subject | ohmic contact | en_US |
DC.subject | surface state | en_US |
DC.subject | surface treatment | en_US |
DC.subject | specific contact resistance | en_US |
DC.title | 經表面處理氮化鎵之特性研究 | zh_TW |
dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
DC.title | Investigated the characteristics of the (NH4)2Sx-treated n-type GaN | en_US |
DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
DC.type | thesis | en_US |
DC.publisher | National Central University | en_US |