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語言 |
| DC.contributor | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 何建廷 | zh_TW |
| DC.creator | Jian-Ting He | en_US |
| dc.date.accessioned | 2000-6-14T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2000-6-14T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2000 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=87324021 | |
| dc.contributor.department | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 運用已建立之主被動元件模型，我們設計了1.9 GHz單級MESFET功率放大器，製作完成後，量測特性結果與模擬值相當吻合，驗證了元件模型的準確度。
最後我們以此為基礎，以MESFET為主動元件，結合平衡器與放大器設計並且製作了1.9 GHz平衡型放大器，輸出功率比單級MESFET功率放大器提昇了一倍。另外，主動元件與薄膜被動元件以接線(wire-bonding)來連接，克服單晶微波積體電路中無法同時達到主、被動元件特性最佳化的問題。良好的增益與特性表現更進一步地顯示MIC電路設計、製作流程的可行性。
此外，在功率放大器的量測方面，除了輸出功率、功率增益、第三階交互調變截斷點( third-order intermodulation intercept point )的量測外，我們亦針對電路做GMSK與π/4 DQPSK的調變訊號量測，觀察其向量誤差百分比( error vector magnitude )之趨勢與特性。 | zh_TW |
| DC.subject | 微波 | zh_TW |
| DC.subject | 放大器 | zh_TW |
| DC.subject | microwave | en_US |
| DC.subject | amplifier | en_US |
| DC.title | 氧化鋁基板上微波功率放大器之研製 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |