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值 |
語言 |
| DC.contributor | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 許嘉仁 | zh_TW |
| DC.creator | Yan-Len Hsu | en_US |
| dc.date.accessioned | 2000-6-15T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2000-6-15T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2000 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=87324033 | |
| dc.contributor.department | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 在元件之直流特性方面，1.0 mm ’ 50 mm之元件，其汲極飽和電流為215 mA/mm，夾止電壓為 -1.9 V；元件最大轉移電導gm為152 mS/mm。在高頻特性方面，元件偏壓在VDS = 2.0 V，VGS = 0 V時，量測求得電流增益截止頻率(ft)為8 GHz，功率增益截止頻率(fmax)為25 GHz。
另外，為了改善元件之崩潰特性與鈍化層的處理，針對表面植入氧之元件進行研究。經由實驗證明，氧的植入確實能有效改善元件之崩潰特性，更可以省略表面鈍化層的製程，但只對於元件之直流和高頻特性帶來了少許的傷害。 | zh_TW |
| DC.subject | 離子佈植 | zh_TW |
| DC.subject | 砷化鎵金屬半導體場效電晶體 | zh_TW |
| DC.subject | Ion-implantation | en_US |
| DC.subject | MESFET | en_US |
| DC.title | 離子佈植砷化鎵金屬半導體場效電晶體之研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |