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語言 |
| DC.contributor | 電機工程研究所 | zh_TW |
| DC.creator | 林睿輝 | zh_TW |
| DC.creator | Ruey-Huei Lin | en_US |
| dc.date.accessioned | 2001-6-20T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2001-6-20T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2001 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=88521005 | |
| dc.contributor.department | 電機工程研究所 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本論文旨在以三維(3-D)薄膜製程技術開發微波被動元件和電路，以及平面薄膜製程技術研發射頻前端功率放大器兩部份。在3-D薄膜製程技術方面，是以低介電係數材料(low-K)聚亞醯胺薄膜開發改良二維(Modified-2D； M-2D)螺旋型電感，利用此種低介電係數材料當作絕緣層，有效減少基板的漏電流和高頻寄生效應，降低能量的損耗，以提升微波被動元件的品質因子。
將研製完成的M-2D螺旋型電感量測高頻S參數，並建立其等效電路模型。運用此等效電路模型及3-D薄膜製程技術實現一2.4GHz電容耦合式帶通濾波器，由電路的量測特性和等效電路模型模擬良好的吻合度，驗證等效電路模型的準確性和3-D薄膜製程技術的穩定性。
此外，利用本實驗已建立完成大訊號模型的金半場效電晶體(MESFET)為主動元件，結合高電阻係數氧化鋁基板平面薄膜製程技術，設計製作一2.4GHz單級功率放大器，經由輸出功率、功率增益、三階交互調變失真截斷點的基本特性量測，以及數位調變訊號GMSK與π/4 DQPSK的調變方式，量測電路向量誤差百分比之特性等，分析電路所表現的特性，並進一步了解電路可實際應用的領域及未來發展。 | zh_TW |
| DC.subject | 三維薄膜製程技術 | zh_TW |
| DC.subject | 功率放大器 | zh_TW |
| DC.subject | 改良二維螺旋型電感 | zh_TW |
| DC.subject | 聚亞醯胺薄膜 | zh_TW |
| DC.subject | 電容耦合式帶通濾波器 | zh_TW |
| DC.title | 積體化微波被動元件之研製與2.4GHz射頻電路設計 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |