DC 欄位 |
值 |
語言 |
DC.contributor | 電機工程研究所 | zh_TW |
DC.creator | 溫清華 | zh_TW |
DC.creator | Xin-Huang Wen | en_US |
dc.date.accessioned | 2001-6-20T07:39:07Z | |
dc.date.available | 2001-6-20T07:39:07Z | |
dc.date.issued | 2001 | |
dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=88521006 | |
dc.contributor.department | 電機工程研究所 | zh_TW |
DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
DC.description | National Central University | en_US |
dc.description.abstract | 隨著新世紀的到來,無線通訊產品帶給人們更方便、舒適的環境,但似乎沒有人能知道在HomeRF、Bluetooth和WLAN規格中誰是下一波無線區域網路的主流,然而由於CMOS製程上的快速進步,傳統射頻接收端前級電路中,所使用的主動元件版圖,也起了相當不同的變化,由傳統高成本的砷化鎵(GaAs)、雙極性二極體(BJT)和BiCMOS,逐漸演化到使用CMOS元件,這樣不但降低了製作上的成本,而且加速系統整合的可能性。
為了獲得較佳的系統表現,在本論文中不同的接收器架構將被討論,而相較於傳統的超外插式的接收器架構而言,直接降頻電路擁有極佳的積體化能力、較低的製作成本及較佳的抗映像能力。且由於WLAN利用了訊號的展頻技術,選擇以直接降頻的接收器架構是相當適合的。強大的電路設計軟體不但使產品上市的時間縮短,同時提供了電路設計者,當電路實際應用於真實世界時的觀念,我們將藉由ADS中系統層次(system level)和電路層次(circuit level)上的整合,使我們對真實訊號上的處理更有概念。
傳統上,在高頻電路的設計上,由於矽基板的高損耗缺,高頻操作時的寄生效應是不可忽略的,故在此次的電路設計上使用035的MOS高頻大訊模型,用以減小設計和實際量測間的誤差,並將在本論文中將討論低雜訊放大器、主動式平衡器、混波器和壓控振盪器的設計,並以這些電路完成直接降頻接收器。 | zh_TW |
DC.subject | 接收端 | zh_TW |
DC.subject | 無線傳輸 | zh_TW |
DC.subject | 直接降頻 | zh_TW |
DC.subject | CMOS | en_US |
DC.subject | homodyne | en_US |
DC.subject | receiver | en_US |
DC.title | CMOS無線通訊接收端模組之設計與實現 | zh_TW |
dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
DC.type | thesis | en_US |
DC.publisher | National Central University | en_US |