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語言 |
| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 蔡來福 | zh_TW |
| DC.creator | Lai-fu Tsai | en_US |
| dc.date.accessioned | 2002-7-12T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2002-7-12T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2002 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=89226013 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本研究採用管狀高週波電感耦合式電漿輔助化學氣相沈積系統，以二乙基鋅及氧氣之混合氣體為原料，在玻璃基板上合成氧化鋅薄膜。研究著重於探討高週波輸入位置及能量、輸入氣體組成等參數對薄膜特性的影響。所得薄膜以探針測厚儀(á-step)測量厚度、傅氏紅外線光譜儀(FTIR Spectroscopy)作鍵結分析、X-光繞射儀作結晶性分析及
掃描式電子顯微鏡(SEM)作表面形態分析。
由實驗中可發現，輸入DEZ 原料60mTorr 時，加入適當的氧氣43∼47mTorr，高週波能量輸入5W時，成長出含電漿高分子的氧化鋅薄膜，其中電漿高分子成分為最低。輸入氧氣56mTorr 時、高週波能量8W時，可得到具(002) 面preferred orientation 的氧化鋅薄膜，本研究已初步完成氧化鋅薄膜的成長，但仍含有少量的電漿高分子的成
份。 | zh_TW |
| DC.subject | 電漿輔助化學氣象沉積法 | zh_TW |
| DC.subject | 氧化鋅 | zh_TW |
| DC.subject | 薄膜 | zh_TW |
| DC.subject | RFPECVD | en_US |
| DC.subject | thinfilm | en_US |
| DC.subject | ZnO | en_US |
| DC.title | 以電漿輔助化學氣相沉積法室溫成長氧化鋅薄膜之研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |