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語言 |
| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 李宗信 | zh_TW |
| DC.creator | Tsung-Hsin Lee | en_US |
| dc.date.accessioned | 2002-7-18T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2002-7-18T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2002 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=89226028 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本文以實驗室自行研發組裝的二氧化碳雷射，結合傳統電漿激發式化學氣相沉積系統(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, 簡稱PECVD)，形成新式薄膜沉積系統，我們稱此種以雷射輔助的PECVD製程稱之為LAPECVD(Laser Assisted PECVD)。我們利用此系統在波導材料的研究上，以應用於各式光通訊元件之研發。
在本論中利用LAPECVD系統，引導二氧化碳雷射斜向到反應室中，照射在矽基板上，在低溫製程下（55oC），可製作出低傳輸損耗、表面平整度佳、良好的抗氧化性等性質的氮氧化矽(SiOxNy)膜，且藉由反應氣體矽烷(SiH4)與一氧化二氮(N2O，俗稱笑氣)比例上不同，可製作出所需的折射率之波導材料。 | zh_TW |
| DC.subject | 雷射 | zh_TW |
| DC.subject | 化學氣相沉積 | zh_TW |
| DC.subject | 氮氧化矽 | zh_TW |
| DC.subject | 電漿 | zh_TW |
| DC.subject | laser | en_US |
| DC.subject | CVD | en_US |
| DC.subject | Silicon Oxynitride | en_US |
| DC.subject | plasma | en_US |
| DC.title | 雷射輔助化學氣相沉積法成長氮氧化矽膜 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Silicon Oxynitride Grown by Laser Assisted Chemical Vapor Deposition | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |