| DC 欄位 |
值 |
語言 |
| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 林昭穎 | zh_TW |
| DC.creator | Chao-Ying Lin | en_US |
| dc.date.accessioned | 2002-7-2T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2002-7-2T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2002 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=89226035 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 發光二極體(LEDs)因具有省電、環保等多項優點，未來可望取代傳統照明成為新世紀的照明的光源。關於LED相關製程技術研究的論文及文獻已有相當數量的累積，但是對其後續的下游封裝和應用設計內容至今仍不多見，這使得在LED在下游的產業應用無法迅速獲得解決。
由於高亮度、量子效率、和輝光效率是LED產業相關者所一直追求的目標。因此本文便針對現今量子效率的提昇技術做一系列探討。並試圖以光學的觀點來簡化複雜的量子模型，我們再根據實驗的結果而模擬LED晶片的光學特性，並找出適合的光學模型來取代LED內部複雜的量子現象；根據此成功模型應用於探討：(1)晶片粗化和(2)晶片形狀的改變-兩者對外部量子效率的影響。之後並以實際的參數去模擬LED的外部量子效率來評估。經由模擬的結果，我們提出：適當的粗化晶片方式將可以取代製造複雜的晶片形狀來大幅提昇外部的量子效率。
依此，吾人可加速應用設計的流程並可事先評估並模擬結果，以降低佈局的成本風險和時間。 | zh_TW |
| DC.subject | 外部量子效率 | zh_TW |
| DC.subject | 高亮度發光二極體 | zh_TW |
| DC.subject | 粗化 | zh_TW |
| DC.subject | external quantum efficiency | en_US |
| DC.subject | roughness | en_US |
| DC.subject | HB LED | en_US |
| DC.title | 發光二極體導光機構之研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |