博碩士論文 89521022 完整後設資料紀錄

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DC.contributor電機工程學系zh_TW
DC.creator蔡旻倪zh_TW
DC.creatorMin-Ni Tsaien_US
dc.date.accessioned2003-1-15T07:39:07Z
dc.date.available2003-1-15T07:39:07Z
dc.date.issued2003
dc.identifier.urihttp://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=89521022
dc.contributor.department電機工程學系zh_TW
DC.description國立中央大學zh_TW
DC.descriptionNational Central Universityen_US
dc.description.abstract本論文主要是針對異質結構雙載子電晶體建立其VBIC model。 在大訊號模型建立上,我們利用ICCAP量測系統量測所需要的圖形如:順向gummel-plot、逆向gummel-plot、共射極直流輸出特性曲線…等;在接面電容量測上,將8510當作一個C-V量測系統;在小訊號S-參數模型建立上,同樣利用8510向量網路分析儀來量測S-參數。 在量測完所需要的圖形之後,利用ADS模擬軟體將模型參數萃取出來,並建立出完整的VBIC model,利用該模型模擬元件包括直流、交流…等特性,確認模型參數是否正確、元件在線性特性上的表現為何…等。 此外,模擬亦包括了自我加熱效應的部分。 其次,分別量測元件在不同溫度下的直流工作情形,建立出VBIC model中關於溫度的相關參數,目的是為了使得該元件不論是在何種溫度操作下,都能保持其模型穩定性,不會有誤差產生。 最後,利用負載-拉移量測找出元件最大輸出功率點為何,並進而量測出在不同輸入功率下所對應的輸出功率,並得到元件的功率增益及功率附加效率,以得知元件在功率特性的表現為何。 接著再利用所建立的VBIC model做關於功率特性方面的模擬,以得知大訊號模型是否能正確模擬元件的非線性特性。 在量測與模擬上,皆包含了固定偏壓與不同偏壓的部分。zh_TW
DC.subject異質接面雙極性電晶體zh_TW
DC.subject功率特性zh_TW
DC.subjectVBIC modelen_US
DC.subjectHBTen_US
DC.title異質接面雙極性電晶體VBIC模型建立及其功率特性模擬zh_TW
dc.language.isozh-TWzh-TW
DC.titleHeterojunction Bipolar Transistor VBIC Model Establish and Power simulationen_US
DC.type博碩士論文zh_TW
DC.typethesisen_US
DC.publisherNational Central Universityen_US

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