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| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 陳威宏 | zh_TW |
| DC.creator | wei-hung chen | en_US |
| dc.date.accessioned | 2003-7-10T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2003-7-10T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2003 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=90226012 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 論文摘要
由於氮化鎵具備半導體材料當中鍵結最強的離子性，難以用傳統的方法進行蝕刻及氧化之製程，所以一般金氧半場效電晶體(MOSFETs)的閘極氧化物多為利用蒸鍍或濺鍍的方式製作，然而氧化物易受到蒸鍍或濺鍍的製程條件影響導致品質不佳，因此本篇論文主要利用新提出的光增強濕式的氧化方式，稱作光電化學的氧化方法(Photoelectrochemical oxidation method，PEC)直接對n型氮化鎵材料表面進行氧化，可有效改善用蒸鍍或濺鍍方式所製作之氧化層品質不佳的問題。
研究中發現藉由調整溶液PH值、照光強弱等方式可控制氧化鎵成長的速率，而由光激發光譜中顯示氧化鎵具有優秀的表面保護作用。經由對氧化鎵進行熱處理，其厚度會變得較薄，結構也變得較為緻密，並且擁有較佳之表面平整度，而當處理溫度愈高時變化愈明顯，接著進行金氧半場效電晶體元件製作並量測其特性，由量測漏電流及崩潰電場的結果顯示所製作為一高品質之氧化層，於元件的直流特性量測上，當施加於閘極的電壓為-3V時，量測到的輸出電流為零，此時整個場效電晶體已達到截止狀態(cut-off)，而在互導值量測上，當閘源極的電壓為0.2V時，可獲得最大的互導值2.25mS/mm。 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 金氧半場效電晶體 | zh_TW |
| DC.subject | 光電化學 | zh_TW |
| DC.subject | 氧化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | PEC | en_US |
| DC.subject | MOSFET | en_US |
| DC.subject | GaN | en_US |
| DC.subject | Ga2O3 | en_US |
| DC.title | n型氮化鎵金氧半場效電晶體
元件之製作與特性研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Investigation of Characteristics and Process of n-type GaN-based MOSFET Devices
| en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |