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語言 |
| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 邵勝添 | zh_TW |
| DC.creator | Sheng-Tien Shao | en_US |
| dc.date.accessioned | 2003-7-9T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2003-7-9T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2003 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=90226025 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 論文摘要
本文的實驗是研究氮離子和碳離子同時及分別佈植於未摻雜之
氮化鎵的特性研究，氮離子以45keV、90keV、200keV 等不同能量分
別搭配2×1012 cm-2、4.5×1012cm-2、1×1013cm-2 等不同佈植濃度，而碳
離子以30keV、65keV、150keV 等不同能量分別搭配1.8×1012 cm-2、4
×1012cm-2、9.5×1012cm-2 等不同佈植濃度，佈植在載子濃度約3.52×
1016cm-3 之未摻雜之氮化鎵上，形成一層佈植深度約350nm，佈植濃
度約達5×1017cm-3 的佈植層，藉以瞭解氮離子和碳離子佈植後的氮化
試片特性。
在光特性方面，利用拉曼(Raman) 量測顯示由佈植所造成的載
子濃度之改變可由A1(LO) 模態之強度變化而初步得知；利用光激發
螢光光譜(photoluminescence)的量測顯示，氮離子佈植會降低黃光區
的發光強度且在波長683nm 附近會產生一個波峰，而碳離子將增強
黃光放射的發光機制且在波長683nm 附近亦會產生一個波峰。
在電性方面，由電流-電壓量測顯示，在相同的電壓下，經過氮
離子和碳離子佈植後的試片再經過熱退火處理過後與未佈植的試片
作比較，可以發現到其電流上的差異，以有佈植且經過900oC 熱處理
的試片有著較佳的絕緣性。 | zh_TW |
| dc.description.abstract | Coimplantation of N ion and C ion into undoped GaN | en_US |
| DC.subject | 離子佈植 | zh_TW |
| DC.subject | 氮 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 碳 | zh_TW |
| DC.subject | GaN | en_US |
| DC.subject | C | en_US |
| DC.subject | implant | en_US |
| DC.subject | N | en_US |
| DC.title | 佈植氮離子與碳離子於未摻雜氮化鎵之特性研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Coimplantation of N ion and C ion into undoped GaN | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |