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| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 黃冠凱 | zh_TW |
| DC.creator | Kuan-Kai Huang | en_US |
| dc.date.accessioned | 2003-7-9T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2003-7-9T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2003 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=90226027 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 摘要
本論文係利用有機金屬氣相沉積技術分別成長氮化鋁鎵/氮化鎵
異質接面蕭特基二極體結構試片和金屬－半導體－金屬光偵測器結
構試片，對試片製作蕭特基二極體，量測金屬與試片接觸的蕭特基位
障及理想因子，最後將蕭特基二極體的研究結果應用於金屬-半導體-
金屬光偵測器之製作，並量測元件暗電流及光頻譜響應度等特性。
論文中，在氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面金屬-半導體-金屬光偵測
器的光頻譜響應度中看出異質接面有抑制光電子－電洞被電極吸收
的情形，為確定原因，試著將試片中的氮化鋁鎵披覆層利用光電化學
氧化方法去除，再製作成金屬-半導體-金屬光偵測器，分析具有披覆
層及無披覆層光偵測器特性之差異。
最後藉由量測於不同偏壓下之光頻譜響應度與霍爾量測結果，確
定在光響應度抑制及連續暗電流中的峰值為氮化鋁鎵/氮化鎵異質接
面能帶不連續，在氮化鎵側產生一位阱，並有一很高濃度的電子侷限
在小範圍的位阱內，稱為二維電子氣，所造成的結果。 | zh_TW |
| DC.subject | 光偵測器 | zh_TW |
| DC.subject | 金屬-半導體-金屬 | zh_TW |
| DC.subject | 異質接面 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鋁鎵/氮化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | heterojunction | en_US |
| DC.subject | AlGaN/GaN | en_US |
| DC.subject | photodetector | en_US |
| DC.subject | MSM | en_US |
| DC.title | 氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面金屬-半導體-金屬光偵測器之製作與特性分析 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | The study of AlGaN/GaN heterojunction metal-semiconductor-metal photodetector | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |