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DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
DC.creator | 李韻芝 | zh_TW |
DC.creator | Yun-Chih Lee | en_US |
dc.date.accessioned | 2004-7-14T07:39:07Z | |
dc.date.available | 2004-7-14T07:39:07Z | |
dc.date.issued | 2004 | |
dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=91226020 | |
dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
DC.description | National Central University | en_US |
dc.description.abstract | 鈦酸鋇單晶的光折變應答速度取決於光導電率及黑暗導電率。光導電主要受制於雜質濃度及雜質的光激發截面。相較於長晶時摻雜質,以氣氛處理改變雜質濃度是一較簡單的製程。由過去數十年研究,我們了解到氣氛處理可以改變雜質的濃度、價電子數及材料的黑暗導電率。氣氛處理的理論模擬說明了雜質價電子數的改變,會改變雜質在光折變效應中所扮演的角色,如:由深能階較轉為淺能階。然而,相關的實驗卻相當罕見。因此,我們製作了一系列經氣氛處理的鈦酸鋇單晶,量測它們的吸收光譜、黑暗衰減、光導電率及光誘吸收差。由黑暗衰減實驗得知晶體的黑暗導電率先隨著氧分壓下降,在10-8 atm時黑暗導電率最小,其值為 ;經過此點之後,黑暗導電率隨著氧分壓下降而上昇,在10-14 atm 時有最大值,其值為 。由整個吸收譜線來看,晶體對光的吸收也是先隨氧分壓下降,而後增加;最透明的晶體是A025(10-11 atm),其吸收係數達最低。這個現象暗示著黑暗導電率並未與雜質濃度同步變化。在光導電方面,波長的變短而光導電率增加是所有的晶體共同的特性。此點暗示深能階的吸收峰位於藍光區段。藉由光誘吸收差實驗結果及曲線擬合,我們推測淺能階的光激發截面隨著波長變長而變小;同時,所有的晶體都有一樣的趨勢。綜觀所有實驗資料,發現深能階的位置應位於藍光區且靠近共價帶,而淺能階的位置似乎也在附近;困惑的是,氣氛處理並未明顯改變深、淺能階的位置。 | zh_TW |
dc.description.abstract | Abstract | en_US |
DC.subject | 光折變 | zh_TW |
DC.subject | 鈦酸鋇 | zh_TW |
DC.subject | photorefractive | en_US |
DC.subject | Reduction treatment | en_US |
DC.title | 經氣氛處理之鈦酸鋇單晶其光折變響應與波長之關係 | zh_TW |
dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
DC.title | The relation between photorefractive response and the wavelength in reduced Barium Titanate crystals | en_US |
DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
DC.type | thesis | en_US |
DC.publisher | National Central University | en_US |