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語言 |
| DC.contributor | 機械工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 盧俊傑 | zh_TW |
| DC.creator | Chun-Chieh Lu | en_US |
| dc.date.accessioned | 2004-7-9T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2004-7-9T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2004 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=91323048 | |
| dc.contributor.department | 機械工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 鋁薄膜具有許多優異之特性，因此在半導體工業上廣泛應用於金屬導線的材料，但鋁薄膜在高溫環境下極易產生表面突起(hillock)，此表面突起容易造成金屬導線短路；在光學反射層上，亦因表面突起的形成，致使反射率降低。
Sc元素加入純鋁或鋁合金中，可使合金明顯產生晶粒細化及提高再結晶溫度。基於Al-Sc合金的特性，本實驗設計純鋁及不同Sc含量之三種薄膜，分別為99.99％純鋁、Al-0.2wt.％Sc及Al-0.4wt.％Sc，在200-500℃之溫度下，施以1hr之退火處理，並以穿透式電子顯微鏡(TEM)、掃描式電子顯微鏡(SEM)、原子力顯微鏡(AFM)、熱壓應力量測及電阻率量測，探討純鋁及Al-Sc薄膜於剛沈積(as-deposited)狀態與不同退火溫度下的微結構及表面形態之變化。
實驗結果顯示，於剛沈積(as-deposited)狀態下，純鋁薄膜已存在大量表面突起；Al-Sc薄膜則因細晶強化之故，可抑制表面突起之形成，且抑制之效果隨薄膜中Sc含量增加而增加。於退火狀態下，純鋁及Al-Sc薄膜因熱壓應力的累積，致使新表面突起的形成，且形成突起之退火溫度隨薄膜中Sc含量增加而增高。純鋁薄膜於300℃以上之溫度退火，由於再結晶的發生，致使電阻率降低；Al-Sc薄膜於300℃以上之溫度退火，因Al3Sc相析出及晶粒輕微成長，電阻率降低至與純鋁薄膜相近。 | zh_TW |
| DC.subject | 退火處理 | zh_TW |
| DC.subject | 突起 | zh_TW |
| DC.subject | 鋁薄膜 | zh_TW |
| DC.subject | Sc含量 | zh_TW |
| DC.subject | Sc content | en_US |
| DC.subject | Al alloy films | en_US |
| DC.subject | hillock | en_US |
| DC.subject | annealing | en_US |
| DC.title | 鈧含量與熱處理對Al-Sc薄膜微結構與表面型態之影響 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Effects of Sc Contents and Heat Treatment on Microstructure and Surface Morphology of Al-Sc alloy films | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |