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語言 |
| DC.contributor | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 陳銘勝 | zh_TW |
| DC.creator | Ming-Sheng Chen | en_US |
| dc.date.accessioned | 2004-7-15T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2004-7-15T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2004 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=91521037 | |
| dc.contributor.department | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本篇論文分別針對氮化鎵發光二極體製程技術中之n型歐姆接觸電極與提升光取出效率方面進行研究分析。在n型歐姆接觸方面，製作Ti/WSix/Ti/Au歐姆接觸電極，在Ti/WSi0.05/Ti/Au (200/400/200/2000 Å)於氮氣環境下800oC、3分鐘熱處理後，可得特徵電阻值約1×10-6 Ω-cm2，不論在穩定性和反射率方面皆較傳統的鈦/鋁/鈦/金電極為佳;在提升光取出效率方面，利用表面圖樣化的方式增進氮化鎵發光二極體光取出效率，由模擬計算可知其對光取出效率有20%的提升，然而由於實驗技術未充分掌握，使得結果不如預期，若能將圖樣的製作技術加改善，必能對發光二極體的光取出效率有所助益。 | zh_TW |
| DC.subject | 光取出效率 | zh_TW |
| DC.subject | 發光二極體 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | n型氮化鎵歐姆接觸 | zh_TW |
| DC.subject | GaN | en_US |
| DC.subject | LED | en_US |
| DC.subject | extraction effciency | en_US |
| DC.subject | n-type GaN ohmic contact | en_US |
| DC.title | 氮化鎵發光二極體製程技術之研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Process of GaN-based Light-emitting Diode | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |