博碩士論文 91521056 完整後設資料紀錄

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DC.contributor電機工程學系zh_TW
DC.creator蔣國軍zh_TW
DC.creatorKuo-Chun Chiangen_US
dc.date.accessioned2005-6-28T07:39:07Z
dc.date.available2005-6-28T07:39:07Z
dc.date.issued2005
dc.identifier.urihttp://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=91521056
dc.contributor.department電機工程學系zh_TW
DC.description國立中央大學zh_TW
DC.descriptionNational Central Universityen_US
dc.description.abstract覆晶式氮化鎵藍光發光二極體比正面發光式氮化鎵藍光發光二極體有提高發光亮度以及可增加熱散逸的能力,減緩因熱累積而造成的效率下降等好處,所以覆晶式氮化鎵藍光發光二極體已經成為LED產業的主流產品。本篇論文研究將針對鈦/鋁/鈦/金 (Ti/Al/Ti/Au)、鉻/鋁/鉻/金 (Cr/Al/Cr/Au)、鉻/鈦/金(Cr/Ti/Au) 金屬組合,在n型氮化鎵歐姆接觸電極和p型氮化鎵材料上高反射率金屬電極同時製作,不須做n型氮化鎵歐姆接觸電極的金屬融合(Alloy) 和蒸鍍焊墊金屬層 (Bonding Pad),以減少製程步驟和節省材料成本,並且探討這些金屬組合的熱穩定性,觀察發光二極體電流–電壓特性變化以及光反射強度的改變。zh_TW
DC.subject藍光發光二極體zh_TW
DC.subject覆晶式zh_TW
DC.subjectGaN blue LEDsen_US
DC.subjectFlip-Chipen_US
DC.title覆晶式藍光發光二極體製程技術之研究zh_TW
dc.language.isozh-TWzh-TW
DC.titleThe Study of Process Technique for Flip-Chip Blue Light Emitting Diodes (LEDs)en_US
DC.type博碩士論文zh_TW
DC.typethesisen_US
DC.publisherNational Central Universityen_US

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