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語言 |
| DC.contributor | 物理學系 | zh_TW |
| DC.creator | 廖敏婷 | zh_TW |
| DC.creator | Min-Ting Liao | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-6-28T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-6-28T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=92222039 | |
| dc.contributor.department | 物理學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 採用銀與鎳兩種奈米微粒，以各種不同質量比例調配之後均勻混合，施加特定的壓力，製成Ag/Ni奈米壓合材料，為樣品(Ag)x(Ni)100-x其中x=5、10、15、30、50、70及100。因鎳的導電性較銀差，所以用來增加銀微粒之間的距離，藉此討論磁性奈米壓合材料的電子傳輸機制。調配樣品內銀與鎳奈米微粒質量比例，鎳微粒在外加磁場下影響電子的傳輸，造成磁阻現象。
我們利用電子穿隧傳導模型來解釋電子的傳輸機制，當樣品中銀含量30%時，達到滲導臨界值，電子能夠有效地穿隧過鎳微粒。銀含量低於此比例時，樣品具有負的TCR值，呈現非金屬性，在低溫時有負磁阻現象，我們以穿隧性磁阻來解釋它;銀含量高於此比例時，樣品具有正的TCR值，呈現金屬性，在低溫時磁阻有正轉負的現象，推測是由於外加磁場下能階分裂所造成。樣品之磁阻現象皆在溫度50K之下觀測到，當溫度高於50K時，由於熱效應的影響，使得磁阻效應皆消失。 | zh_TW |
| DC.subject | 奈米材料 | zh_TW |
| DC.subject | 穿隧性電阻 | zh_TW |
| DC.subject | 臨界滲導 | zh_TW |
| DC.subject | 穿隧性磁阻 | zh_TW |
| DC.subject | percolation threshold | en_US |
| DC.subject | tunneling magnetoresistance | en_US |
| DC.subject | nanocompacts | en_US |
| DC.title | Ag/Ni奈米壓合材料的電性滲導與磁阻探討 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Percolation Threshold and Tunneling Magnetoresistance in Ag/Ni Nanocompacts | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |