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| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 蔡曜駿 | zh_TW |
| DC.creator | Yao-Jun Tsai | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-10-11T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-10-11T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=92226031 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 因為AlGaInP系列的高亮度紅、黃光發光二極體，其基板都必須使用晶格相匹配又可以拉單晶的GaAs半導體，而GaAs本身會吸收紅、黃光又有散熱性不佳的缺點。為了（1）解決散熱問題：使發光二極體能夠承受更高的電流與增加內部量子效率。（2）改善GaAs基板吸光問題，使發光二極體增加外部量子效率。我們在本論文裡嘗試用新方法製作具有銅基板的高反射面鏡發光二極體。
我們在實驗裡提出了兩種嶄新的製作方法來製作具有銅基板的高反射面鏡發光二極體。第一種是從磊晶上面著手，來製作不需要加熱步驟就可以形成歐姆接觸的銅基板發光二極體；而第二種則是承接第一種的概念，然後再藉由改變製程，使得可用加熱的方法來製作出平整且不破裂的銅基板高功率發光二極體。
實驗中，在以第一種方法製作銅基板發光二極體時，靠著光阻蝕刻阻擋層的引入，我們成功的製作出大面積且平坦的銅基板發光二極體；從第二種方法，我們靠著低溫金屬、低熱膨脹係數、高蝕刻選擇比、晶片鍵合、暫時基板等技術的互相搭配，也同樣獲得大面積且平坦的銅基板發光二極體。而再藉由加熱的步驟，我們成功獲得了低正向電壓、低總電阻與低耗能的銅基板發光二極體。 | zh_TW |
| DC.subject | 磷化鋁銦鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 高功率 | zh_TW |
| DC.subject | 銅基板 | zh_TW |
| DC.subject | 發光二極體 | zh_TW |
| DC.subject | LED | en_US |
| DC.subject | AlGaInP | en_US |
| DC.subject | Cu substrates | en_US |
| DC.subject | high power | en_US |
| DC.title | 具有銅基板之磷化鋁銦鎵發光二極體的製作 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Fabrication of AlGaInP Light Emitting Diodes on Cu substrates | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |