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語言 |
| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 林仕尉 | zh_TW |
| DC.creator | Shin-Wei Lin | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-7-7T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-7-7T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=92226036 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本實驗研究以氧化銦錫（ITO）、氧化鋅鋁（AZO）做為蕭特基接觸金屬，濺鍍於氮化鎵蕭特基二極體之光偵測器。而利用氧化銦錫當作透明導電膜的研究已有相當的瞭解，本論文改為利用氧化鋅鋁薄膜當作蕭S基接觸的薄膜。對於氧化鋅鋁的薄膜做過一連串的電性、光性及結構分析，找出氧化鋅鋁在不同的溫度下的電阻率及穿透率；進而製作在氮化鎵上當作光偵測器，量測的部分包括了元件的蕭特基能障高度、暗電流、照光電流響應及光頻譜響應。期望氧化鋅鋁薄膜在360nm的高穿透率，可以提高元件的光響應度。 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 蕭特基 | zh_TW |
| DC.subject | 透明導電氧化層 | zh_TW |
| DC.subject | 半導體 | zh_TW |
| DC.subject | semiconductor | en_US |
| DC.subject | schottky | en_US |
| DC.subject | ITO | en_US |
| DC.subject | GaN | en_US |
| DC.subject | AZO | en_US |
| DC.title | 透明導電氧化物應用在氮化鎵蕭基二極體之研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Conductive transparent oxide applied to GaN Schottky barrier diodes | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |