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| DC.contributor | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 張憲綱 | zh_TW |
| DC.creator | Hsien-Kang Chang | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-7-7T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-7-7T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=92226049 | |
| dc.contributor.department | 光電科學與工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本論文研究針對氮化鎵系列PIN紫外光偵測器為主，發展出具有氮化鋁鎵n-i-p結構的紫外光偵測器元件和具有不同阻值的吸收層（即i-layer）氮化鎵p-i-n結構的紫外光偵測器元件。藉由氮化鋁鎵n-i-p結構的新想法與製程簡化，來觀察與比較元件間的光電特性；而具有不同阻值的吸收層氮化鎵p-i-n結構，則試圖從吸收層阻值的改變來了解元件特性的變化。元件量測分析的部分包括了暗電流、光電流、光譜響應度及光響應時間之比較。
在氮化鋁鎵n-i-p結構的試片元件中，我們發現其光偵測器的特性並不比傳統p-i-n結構的光偵測器差，且其製程步驟較簡化，可以少做p型歐姆接觸金屬與其合金這道製程步驟，這對於要大量生產商品化的元件產品與節省人力成本的高科技光電半導體產業而言，將是可以繼續研發改進的光偵測器元件之一。
在具有不同阻值的吸收層氮化鎵p-i-n結構的紫外光偵測器元件中，我們發現因為要低溫成長出具有高片電阻值的薄膜材料時，可能同時造成薄膜的品質變差，以致於在元件特性中，兩者互相補償，而無法有效分析其具有不同阻值的吸收層間的元件特性，希冀未來能在試片成長環境中改善，使薄膜有較好的品質，而能有效分析其具有不同阻值的吸收層間的元件特性。 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 光偵測器 | zh_TW |
| DC.subject | PIN | en_US |
| DC.subject | photodetector | en_US |
| DC.subject | GaN | en_US |
| DC.title | 氮化鎵系列PIN紫外光偵測器之研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Fabrication and Characterization of GaNPIN Ultraviolet Photodetectors | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |