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語言 |
| DC.contributor | 機械工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 鄭仁廸 | zh_TW |
| DC.creator | Jen-Ti Cheng | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-7-14T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-7-14T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=92323052 | |
| dc.contributor.department | 機械工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 在半導體製程進入了次微米的時代，使用一般矽塊材(bulk Si)結構製作更高效能之元件已面臨挑戰與貧頸。而絕緣層矽晶(Silicon On Insulator, SOI)特殊的結構將可提供一個更好的方向克服元件微小化所遇到之問題。
有鑑於此，本文首章介紹絕緣層矽晶之各項性質、製程與應用。第二章概述以離子佈植方式轉移薄膜之機制。第三章探討使用微波能激發之原理並如何運用於絕緣層矽晶上。第四章介紹一套全新薄膜轉移方式-熱力微波製程，期望在低溫快速地情況下獲得大尺寸面積SOI材料。
實驗結果發現，經電漿活化鍵合後，使用熱力微波製程確實成功將八吋薄膜轉移，獲得完整絕緣層矽晶材料。而由AFM與TEM影像觀察，其表面及橫截面之特性皆可適用於目前半導體製程。 | zh_TW |
| DC.subject | 絕緣層矽晶 | zh_TW |
| DC.subject | 氫氣離子佈植 | zh_TW |
| DC.subject | 晶圓鍵合 | zh_TW |
| DC.subject | 微波能照射 | zh_TW |
| DC.subject | wafer bonding | en_US |
| DC.subject | Silicon On Insulator(SOI) | en_US |
| DC.subject | hydrogen implantation | en_US |
| DC.subject | microwave irradiation | en_US |
| DC.title | 熱力微照射製作絕緣層矽晶材料之研究 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | The Research of Thermal-Microwave SOI Materials technology | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |