博碩士論文 92323052 完整後設資料紀錄

DC 欄位 語言
DC.contributor機械工程學系zh_TW
DC.creator鄭仁廸zh_TW
DC.creatorJen-Ti Chengen_US
dc.date.accessioned2005-7-14T07:39:07Z
dc.date.available2005-7-14T07:39:07Z
dc.date.issued2005
dc.identifier.urihttp://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=92323052
dc.contributor.department機械工程學系zh_TW
DC.description國立中央大學zh_TW
DC.descriptionNational Central Universityen_US
dc.description.abstract在半導體製程進入了次微米的時代,使用一般矽塊材(bulk Si)結構製作更高效能之元件已面臨挑戰與貧頸。而絕緣層矽晶(Silicon On Insulator, SOI)特殊的結構將可提供一個更好的方向克服元件微小化所遇到之問題。 有鑑於此,本文首章介紹絕緣層矽晶之各項性質、製程與應用。第二章概述以離子佈植方式轉移薄膜之機制。第三章探討使用微波能激發之原理並如何運用於絕緣層矽晶上。第四章介紹一套全新薄膜轉移方式-熱力微波製程,期望在低溫快速地情況下獲得大尺寸面積SOI材料。 實驗結果發現,經電漿活化鍵合後,使用熱力微波製程確實成功將八吋薄膜轉移,獲得完整絕緣層矽晶材料。而由AFM與TEM影像觀察,其表面及橫截面之特性皆可適用於目前半導體製程。zh_TW
DC.subject絕緣層矽晶zh_TW
DC.subject氫氣離子佈植zh_TW
DC.subject晶圓鍵合zh_TW
DC.subject微波能照射zh_TW
DC.subjectwafer bondingen_US
DC.subjectSilicon On Insulator(SOI)en_US
DC.subjecthydrogen implantationen_US
DC.subjectmicrowave irradiationen_US
DC.title熱力微照射製作絕緣層矽晶材料之研究zh_TW
dc.language.isozh-TWzh-TW
DC.titleThe Research of Thermal-Microwave SOI Materials technologyen_US
DC.type博碩士論文zh_TW
DC.typethesisen_US
DC.publisherNational Central Universityen_US

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