博碩士論文 92521039 完整後設資料紀錄

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DC.contributor電機工程學系zh_TW
DC.creator吳昭羲zh_TW
DC.creatorChao-Hsi Wuen_US
dc.date.accessioned2005-6-30T07:39:07Z
dc.date.available2005-6-30T07:39:07Z
dc.date.issued2005
dc.identifier.urihttp://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=92521039
dc.contributor.department電機工程學系zh_TW
DC.description國立中央大學zh_TW
DC.descriptionNational Central Universityen_US
dc.description.abstract本論文主要提出以平臺式(Mesa-type)非自我對準(non self-aligned)的製程方法製作完成矽鍺異質接面雙載子電晶體(Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistors;SiGe HBTs)。並對電晶體進行量測、分析、模擬與討論。所有元件製程均於國立中央大學光電科學研究中心完成;之後進行元件的特性量測。量測部份主要包括元件直流特性、高頻特性、溫度直流特性;量測的射極面積主要有AE = 75×75 μm2,AE = 3×12 μm2和AE = 4×12 μm2,之後對量測結果進行討論和分析。模擬部分以模擬軟體TMA MEDICI進行2-D(two-dimensional)結構模擬。先對量測結果進行直流特性的fitting,之後設計並模擬不同鍺成份(different Ge composition)對元件特性之影響,並對結果進行討論。 量測所得到的AE = 75×75 μm2元件,在IC = 10.3mA時的電流增益約為83,崩潰電壓BVCEO>5V。AE = 4×12 μm2之最大直流增益(βmax)為39.3,fT為10.43GHz,fmax為2.85GHz,BVCEO>5V。AE = 3×12 μm2之最大直流增益為34.8,fT為8.95GHz,fmax為2.55GHz,BVCEO>5V。zh_TW
DC.subject電晶體zh_TW
DC.subject平臺式zh_TW
DC.subject分析zh_TW
DC.subject矽鍺zh_TW
DC.subject異質接面zh_TW
DC.subjecthbten_US
DC.subjectmesa typeen_US
DC.subjectanalysisen_US
DC.subjectsigeen_US
DC.title平臺式矽鍺異質接面雙載子電晶體研製與分析zh_TW
dc.language.isozh-TWzh-TW
DC.titleMesa Type SiGe HBTs Fabrication and Analysisen_US
DC.type博碩士論文zh_TW
DC.typethesisen_US
DC.publisherNational Central Universityen_US

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