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語言 |
| DC.contributor | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 黃子建 | zh_TW |
| DC.creator | Tzu-Chien Huang | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-7-19T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-7-19T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=92521049 | |
| dc.contributor.department | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本論文使用氮化鋁銦鎵系列之材料製作藍紫光(405nm)雷射二極體，研究內容著重在雷射二極體模擬分析與研製，共分為三個部份 (1) 雷射二極體結構與製程:以自我對準製程製作藍光雷射，並討論活化條件對電洞濃度之影響，提高電洞濃度兩倍，量測雷射二極體電流電壓特性，分析出二極體之主要問題。 (2) 雷射光場近場模擬:利用電腦輔助軟體模擬雷射近場光場，分析N型披覆層、P型波導層、N型氮化鋁鎵歐姆接觸層在結構上之變化對近場光場的影響，近場中達到單模輸出。 (3) 雷射光場遠場模擬:配合第三章之結果，分析降低遠場光束幾何比之結構，並調整適當的結構達到單模態低光束幾何比(signal mode low aspect ratio)1.45的輸出。 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 雷射二極體 | zh_TW |
| DC.subject | GaN | en_US |
| DC.subject | Laser diode | en_US |
| DC.title | 氮化鎵藍紫光雷射二極體研製與模擬分析 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |