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語言 |
| DC.contributor | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 林柏辰 | zh_TW |
| DC.creator | Po-Chen Lin | en_US |
| dc.date.accessioned | 2005-6-30T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2005-6-30T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2005 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=92521068 | |
| dc.contributor.department | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 本論文首先介紹HEMT的工作原理，以此為基礎設計我們的氮化鋁鎵/氮化鎵高電子移導率場效電晶體。在元件的歐姆接觸方面，我們參考歐姆接觸的原理，利用傳輸線模型以Ti/Al/Ni/Au (25/125/45/55 nm)的蒸鍍厚度、800℃－30秒鐘的熱退火條件，製作出阻抗為0.4 Ω-mm的歐姆接觸。元件製作完成之後，我們對氮化鋁鎵/氮化鎵高電子移導率場效電晶體作直流、小訊號、功率量測，元件特性汲最大飽和電流為900 mA/mm、最大轉導為196 mS/mm、增益截止頻率為37 GHz、功率增益截止頻率為45 GHz，其它功率上特性如功率增益為14.6 dB、最大輸出功率為25 dBm。在脈衝電流－電壓量測方面，我們結合低溫量測系統量測出元件在100K、200K、300K的電流－電壓特性，並分析元件的熱效應與表面缺陷。 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鋁鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 脈衝波 | zh_TW |
| DC.subject | 氮化鎵 | zh_TW |
| DC.subject | 場效電晶體 | zh_TW |
| DC.subject | AlGaN | en_US |
| DC.subject | GaN | en_US |
| DC.subject | HEMT | en_US |
| DC.subject | Pulse | en_US |
| DC.subject | FET | en_US |
| DC.title | 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子移導率場效電晶體之製作與應用 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | AlGaN/GaN high electron mobility transistors:fabrication and application | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |