| DC 欄位 |
值 |
語言 |
| DC.contributor | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.creator | 羅勝名 | zh_TW |
| DC.creator | Sheng-ming Luo | en_US |
| dc.date.accessioned | 2008-7-18T07:39:07Z | |
| dc.date.available | 2008-7-18T07:39:07Z | |
| dc.date.issued | 2008 | |
| dc.identifier.uri | http://ir.lib.ncu.edu.tw:444/thesis/view_etd.asp?URN=955201044 | |
| dc.contributor.department | 電機工程學系 | zh_TW |
| DC.description | 國立中央大學 | zh_TW |
| DC.description | National Central University | en_US |
| dc.description.abstract | 近年來無線通訊的迅速發展，微波與毫米波元件議題日漸重要。本論文主要討論0.15 um MHEMT製程與0.15 um PHEMT製程在射頻電路低雜訊放大器上應用，並利用0.5 um PHEMT製程設計加入電感提升的分佈式放大器，希望可以解決高頻率的小訊號增益，改善通訊系統中各級輸出的訊號的強度。
第一章為整篇論文的緒論，第二章分析0.15 um MHEMT製程的小訊號特性，使用HP IC-CAP軟體，搭配HP-8510C網路分析儀與HP-4142B直流分析儀量測元件的高頻特性，並將萃取出來的小訊號模型，於第三章分別設計成K頻段與Q頻段的低雜訊放大器，再與第四章利用0.15 um PHEMT製程所設計的K頻段低雜訊放大器做比較，同時也設計K頻段功率放大器，希望可以和低雜訊放大器一起整合在汽車雷達通訊系統中，第五章則是利用0.5 um PHEMT製程以電感提升的方式設計疊接分佈式寬頻放大器，希望電感提升的設計方式可以達到相當寬的頻寬，再使用90 nm CMOS 製程，希望實現有80 GHz的頻寬。 | zh_TW |
| dc.description.abstract | 近年來無線通訊的迅速發展，微波與毫米波元件議題日漸重要。本論文主要討論0.15 um MHEMT製程與0.15 um PHEMT製程在射頻電路低雜訊放大器上應用，並利用0.5 um PHEMT製程設計加入電感提升的分佈式放大器，希望可以解決高頻率的小訊號增益，改善通訊系統中各級輸出的訊號的強度。
第一章為整篇論文的緒論，第二章分析0.15 um MHEMT製程的小訊號特性，使用HP IC-CAP軟體，搭配HP-8510C網路分析儀與HP-4142B直流分析儀量測元件的高頻特性，並將萃取出來的小訊號模型，於第三章分別設計成K頻段與Q頻段的低雜訊放大器，再與第四章利用0.15 um PHEMT製程所設計的K頻段低雜訊放大器做比較，同時也設計K頻段功率放大器，希望可以和低雜訊放大器一起整合在汽車雷達通訊系統中，第五章則是利用0.5 um PHEMT製程以電感提升的方式設計疊接分佈式寬頻放大器，希望電感提升的設計方式可以達到相當寬的頻寬，再使用90 nm CMOS 製程，希望實現有80 GHz的頻寬。 | en_US |
| DC.subject | 低雜訊放大器 | zh_TW |
| DC.subject | 電感提升 | zh_TW |
| DC.subject | 分佈式放大器 | zh_TW |
| DC.subject | distributed amplifier | en_US |
| DC.subject | low noise amplifie | en_US |
| DC.subject | inductive peaking | en_US |
| DC.title | 砷化鎵高速電子遷移率之電晶體微波/毫米波放大器設計 | zh_TW |
| dc.language.iso | zh-TW | zh-TW |
| DC.title | Microwave/Millimeter-wave Amplifier using GaAs HEMT device | en_US |
| DC.type | 博碩士論文 | zh_TW |
| DC.type | thesis | en_US |
| DC.publisher | National Central University | en_US |