經表面處理氮化鎵之特性研究

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林祐仲(Yow-Jon Lin) 查詢紙本館藏

畢業系所

光電科學與工程學系

論文名稱

經表面處理氮化鎵之特性研究
(Investigated the characteristics of the (NH4)2Sx-treated n-type GaN)

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摘要(中)

在本次研究中，利用硫化銨 ((NH4) 2Sx) 溶液進行N型氮化鎵 (GaN) 表面處理，於蒸鍍鈦/鋁 (Ti/Al) 金屬後即形成特徵接觸電阻值5.0×10-5 Ω-cm2之歐姆接觸 (ohmic contact)。然後，再將它置於高溫爐在氮氣環境下，以300oC進行熱處理3分鐘即可獲得低的特徵接觸電阻值3.0×10-6 Ω-cm2 。另外，對於氮化鎵硫化處理效應更以各項實驗來加以驗證與推算，其包括：能夠完全去除氮化鎵表面原生氧化層，並且改善氮化鎵表面特性及提高表面載子濃度，以致於能夠形成非經熱處理之歐姆接觸、於氮化鎵表面形成鎵-硫(Ga-S) 鍵結防止表面再氧化、能夠減少表面態密度及表面複合速度和增加光子激發光光譜 (photoluminescence) 之強度、能獲得較好的蕭特基接觸 (Schottky contact) 特性。

關鍵字(中)

★ 表面態
★ 歐姆接觸
★ 表面處理
★ 特徵接觸電阻
★ 蕭特基接觸

關鍵字(英)

★ Schottky contact
★ ohmic contact
★ surface state
★ surface treatment
★ specific contact resistance

論文目次

封面
論文摘要
誌謝
目次
圖目
表目
一、前言
1. N型氮化鎵之歐姆接觸
2. 半導體的表面硫化處理
二、實驗方法與量測理論
1. X光光電子能譜儀量測
2. 反應離子蝕刻系統
3. 傳輸線模型
4. 電容-電壓量測
5. 光子激發光光譜測量
三、實驗步驟
1. 實驗A---利用XPS觀測未使用與使用硫化銨溶液處理的氮化鎵表面之差異
2. 實驗B---觀測未使用與使用硫化銨溶液處理的氮化鎵於蒸鍍金屬電極後未經熱處理與經過熱處理之電特性分析與比較
3. 實驗C---估算氮化鎵使用硫化銨溶液處理前後之表面態密度變化
4. 實驗D---光子激發光光譜測量未硫化與經過硫化處理之氮化鎵
四、實驗結果與討論
1. 利用XPS觀測未使用與使用硫化銨溶液處理的氮化鎵表面之差異
2. 觀測未使用與使用硫化銨溶液處理的氮化鎵於蒸鍍金屬電極後未經熱處理與經過熱處理之電特性分析與比較
3. 估算氮化鎵使用硫化銨溶液處理前後之表面態密度變化
4. 光子激發光光譜測量未硫化與經過硫化處理之氮化鎵
五、結論
參考文獻
本人發表之文章

參考文獻

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指導教授

李清庭(Ching-Ting Lee)

審核日期

2009-5-11

推文